英特尔/美光联合发售25nm NAND闪存芯片

Intel-Micron Flash科技（也即是IMFT）公司，曾在2月1日承诺量产使用25nm制造工艺技术的NAND闪存芯片。

现在来自IMFT晶圆厂的首批25nm产品正式发售了，采用的是8GB (64Gb)容量MLC (multi-level cell)芯片（如图），采用沉浸式光刻技术，核心面积167mm2。支持开放式NAND闪存接口ONFi 2.2，界面速度高可达200MB/s，页面(page)尺寸从50/34nm时代的4KB翻番到了8KB，块(Block)尺寸从128个页面加倍到256个页面，读写性能预计将有显著提升。未来主要应用于数码摄像机、照相机、智能手机、PMP和固态硬盘等领域。

英特尔预计基于25nm NAND的固态硬盘将在今年下半年登场。