东芝宣布32nm工艺闪存计划7月量产

在考虑剥离系统LSI业务和离散元件业务的同时，东芝在存储业务方面的重点转移到NAND型闪存的微细化上来。东芝代表执行董事社长西田厚聪曾表示，在将2009年9月将率先开始供货32nm产品”。

日前根据新的消息报道，东芝今天于业界首家开始出货32nm工艺NAND闪存颗粒。其中，全球首颗32nm工艺32Gb（4GB）NAND单芯片样品即日起出货，主流容量16Gb（2GB）颗粒样品将于今年7月推出。而正式的量产时间32GB是7月（比原计划提前两个月），16GB会是今年四季度。

据称首批32nm NAND闪存将主要用于存储卡和USB存储设备，未来会扩展到嵌入式产品领域。目前，东芝是全球领先的32GB闪存供应商，使用8颗43nm工艺32Gb颗粒堆叠而成。而32nm工艺的应用将进一步提高生产效率，减小芯片体积，适应更高容量，更小巧的掌上产品需求。