45nm远不是极限！神秘的处理器制程工艺

High-K工艺和Low-K工艺为什么能够共存？

在步入45nm生产工艺之后，英特尔高调宣布引入High-K工艺以降低芯片功耗，那与此同时，是不是意味着已经使用多年的Low-K工艺要被淘汰呢？很多人都会有这样的想法，因为从名字上看，二者是完全相反的两个极端。

其实真正的情况并不是那么回事，两个工艺完全用在不同的地方，所要实现的功能也大相径庭。要解释清楚这个问题，我们就要先弄清楚“K”是什么意思。

电容的物理学描述是C=Q/U，即每升高1V电压，电容中增加的电量。而在实际电路中C正比于K/D，其中K为绝缘介质的介电常数单位，D是两电极之间的距离。这样我们就可以看清楚Low-K工艺的发展历程。

电容的基本组成结构要求两端是导体，中间是绝缘体。由于电容的存在，要改变两导体极板之间的电势差(即相对电压大小)就要先给电容充放电，才能让电压稳定下来，这势必会给信号造成延迟。

我们知道芯片上不仅仅只有MOS管，还有无数连接各个MOS管的导线，早先这些导线使用铝材料(Al)来制作，后来改用铜(Cu)互连提供更低的电阻。问题就出在这些导线上面，两根距离很近的导线再加上中间的绝缘物，实际上已经组成了一个电容(专业名称叫做“寄生电容”)。当半导体工艺还处在0.25μm以前时，导线之间的距离D很大，寄生电容很小，所以两条导线中的信号一直是井水不犯河水。

但是随着MOS管的逐渐增多，导线间的距离越来越短，寄生电容的影响越来越大—两根导线之间都是0电压，突然一根导线中的电压要从0上升到1，这时由于寄生电容的存在，上升过程就变得相对缓慢。这种延迟现象轻则拖慢整个电路的数据传递速度，严重时会造成数值读取错误，影响高频电路的正常工作。

由于寄生电容的影响，本该瞬间完成的信号变化被严重滞后了

为了降低信号线相互之间的串扰，工程师们找到了一种碳掺杂氧化物(CDO，Carbon Doped
Oxide)。这种材料的介电常数为3K，要低于二氧化硅4.2K的介电值。用新材料来充当导线之间的“填充物”，进而减少寄生电容对芯片的影响，让信号在芯片中的传递更加快速。

介绍完Low-K之后，再来看Hig h-K。需要大家注意的是，High-K工艺是针对MOS管的改进，而不是导线电路。

这里我们再来引入一个“阈值电压(Vt)”的概念。顾名思义，阈值电压就是指使MOS管导通时加在栅极的小电压，如果栅电压低于这个电压，MOS管将关闭。常识告诉我们，要将栅极电压从0提升到Vt，或者从Vt降到0都是需要时间的，如果这个过程需要10ns，那么也就意味着这个MOS管一秒内多变化1亿次，即MOS管快只能有100MHz的频率。

有没有办法加快MOS开关的速度呢？当然有！而且有两种方法，其一是增大栅极电压，不过这么做的副作用是功率迅速增大，这是我们绝对不能接受的；另一种则是降低阈值电压，让MOS管更容易开关。在这种思路下，CPU的工作电压从Pentium 4时期的1.3V一直降到酷睿2时期的低
0.765V。

MOS管在电子显微镜下的剖面图

仔细研究之后，我们会发现导体栅极、绝缘层、不绝缘的衬底也能形成一个类似电容的模型。而且如果这个电容值越大，那么同样的栅极电压就能吸附更多的电荷，提高MOS管导通的速度。在这种思维的指导下，随着工艺的进步，二氧化硅绝缘层的厚度不断被减小。到90nm工艺时，二氧化硅绝缘层的厚度已经做到1.2nm，仅仅5个原子厚。

极薄的二氧化硅层带来了MOS管速度的提升，也不可避免地助长了栅极漏电流，因为这么薄的“绝缘层”已经失去了绝缘的能力，大量电荷穿越二氧化硅层，通过衬底溜走。终的结果就像是
90nm的Prescott 核心的Pentium 4处理器，工作频率接近4GHz，同时功率也近140W。

越过90nm门槛之后，单纯依靠缩小绝缘层厚度来提高MOS管开关速度已经行不通了。于是科学家们拿自半导体工业诞生几十年来都未曾碰过的绝缘层介电常数K开刀了，目标就是充当绝缘介质的二氧化硅层。在45nm生产工艺中，Intel的工程师开始使用一种新型的基于铪(Hr)的化合物作为绝缘层材料。这种High-K物质能够在厚度不变的情况下提供更大的介电能力，从而帮助MOS管运行在更高的频率之上。

由于铪化合物的特殊分子结构，其绝缘能力达到传统二氧化硅的10000倍，即使是未来将绝缘层厚度降低到0.1nm时，也能充分履行绝缘的职责。为了配合新的Hig h-K绝缘层，栅极材料也做了更新，抛弃了和新绝缘层结合不好的多晶硅，改用了新的全金属材料。故此，Intel的Hig h-K技术全称为了HKMG技术(High-K Metal Gate高介电金属栅)。HKMG技术让Intel的45nm的酷睿2处理器彻底扔掉了发热量大的毛病，同时其频率提升能力也强于65nm的酷睿2，无论是从性能还是功耗上讲都重新走到了业界前面。

为什么AMD到目前仍没有使用High-K材料？

有的朋友会纳闷，为什么处理器另一阵营的AMD到现在都没有使用High-K，却能很好地控制
CPU的功耗呢？这就要归功于AMD自Athlon时代就开始使用SOI工艺。SOI是Silicon On Isolator的缩写，即绝缘体上的硅技术。和传统的纯硅晶圆不同，SOI工艺使用的晶圆底部是一层绝缘层。正是这层绝缘体切断了上方MOS管漏电流的回路，使得基于SOI技术的芯片天生就有抵抗漏电流的本事。

Low-K与High-K的区别

正因如此AMD这么多年来，都不需要考虑太多漏电流的问题。不过按照计划，AMD将在32nm时导入High-K技术，以提高栅极控制能力。由于SOI技术来自IBM技术联盟，而IBM出于压制Intel考虑，从未将SOI技术授权给后者，才使得Intel不得不自行开发High-K技术。